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シングルクリスタル基板
Created with Pixso. 薬剤が使用されていないCOC Czochralski 0.5mm Si シングルクリスタルシリコン・ウェーファー

薬剤が使用されていないCOC Czochralski 0.5mm Si シングルクリスタルシリコン・ウェーファー

ブランド名: Crystro
モデル番号: CR201204-01
MOQ: 1pc
配達時間: 4-5weeks
支払条件: T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム,PayPal
詳細情報
起源の場所:
中国
証明:
SGS/COC
材料:
Si
製品名:
シリコン・シングルクリスタル
化学組成:
99.999%
表面:
片側か両側を磨いた
標準サイズ:
ダイヤ1'',ダイヤ2x0.5mm,ダイヤ3x0.5mm,ダイヤ4x0.5mm,ダイヤ5",ダイヤ6",ダイヤ8"
ドーピングタイプ:
ドーピングされていない
EPD ((cm-2):
≤ 100
耐性:
102~104オムセンチメートル
パッケージの詳細:
透明できれいな箱
供給の能力:
月100000PCS
ハイライト:

COC 単結晶シリコンウエファー

,

0.5mm Czochralski Si ワッフル

,

チョクラルスキー シリコン シングルクリスタル

製品説明

表面を磨いたシリコンシリン単結

 

ブラックアモルフシリコンは,砂 (SiO2) を炭素で還元することによって得られる. 超純粋な結晶は,シリコンが青灰色の金属色を輝かせている場合である. 大量シリコンは酸素に対して反応しない.水と酸 (HFを除く)シリコンは半導体,合金,ポリマーに用いられる.

 

材料:シリコン

ドーピングタイプ: ドーピングされていない
抵抗性 Ω Cm: 102~104
EPD ((cm-2): ≤ 100
結晶方向: <111> ;<100>;<110>±0.5°
標準仕様:dia2"x0.5mm,dia3"x0.5mm,dia4"x0.5mm,dia5",dia6",dia8"
表面:片側か両側が磨かれている

 

 

CRYSTROはGGG結晶を以下で供給する.

シングルクリスタル
結晶構造 ダイヤモンド
成長方法 チョクラルスキー
標準サイズ 直径20~80mm 厚さ05~15mm
磨き 片側または両側から磨く
荒さ <0.03um
純度 99.999%

 

 

 

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ブランド名: Crystro
モデル番号: CR201204-01
MOQ: 1pc
パッケージの詳細: 透明できれいな箱
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起源の場所:
中国
ブランド名:
Crystro
証明:
SGS/COC
モデル番号:
CR201204-01
材料:
Si
製品名:
シリコン・シングルクリスタル
化学組成:
99.999%
表面:
片側か両側を磨いた
標準サイズ:
ダイヤ1'',ダイヤ2x0.5mm,ダイヤ3x0.5mm,ダイヤ4x0.5mm,ダイヤ5",ダイヤ6",ダイヤ8"
ドーピングタイプ:
ドーピングされていない
EPD ((cm-2):
≤ 100
耐性:
102~104オムセンチメートル
最小注文数量:
1pc
パッケージの詳細:
透明できれいな箱
受渡し時間:
4-5weeks
支払条件:
T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム,PayPal
供給の能力:
月100000PCS
ハイライト:

COC 単結晶シリコンウエファー

,

0.5mm Czochralski Si ワッフル

,

チョクラルスキー シリコン シングルクリスタル

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表面を磨いたシリコンシリン単結

 

ブラックアモルフシリコンは,砂 (SiO2) を炭素で還元することによって得られる. 超純粋な結晶は,シリコンが青灰色の金属色を輝かせている場合である. 大量シリコンは酸素に対して反応しない.水と酸 (HFを除く)シリコンは半導体,合金,ポリマーに用いられる.

 

材料:シリコン

ドーピングタイプ: ドーピングされていない
抵抗性 Ω Cm: 102~104
EPD ((cm-2): ≤ 100
結晶方向: <111> ;<100>;<110>±0.5°
標準仕様:dia2"x0.5mm,dia3"x0.5mm,dia4"x0.5mm,dia5",dia6",dia8"
表面:片側か両側が磨かれている

 

 

CRYSTROはGGG結晶を以下で供給する.

シングルクリスタル
結晶構造 ダイヤモンド
成長方法 チョクラルスキー
標準サイズ 直径20~80mm 厚さ05~15mm
磨き 片側または両側から磨く
荒さ <0.03um
純度 99.999%

 

 

 

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