|
商品の詳細:
お支払配送条件:
|
| 材料: | GSGG | ポーランド: | EPIは磨いた |
|---|---|---|---|
| 表面の粗さ: | < 10A="" by="" AFM="" 5x5="" microm="" area=""> | 結晶成長方法: | Czochralski |
| オリエンテーション: | （100）、（111） +/-0.5° | 直径の許容: | ±0.05mm |
| 長さの許容: | ±0.2mm | サイズ: | カスタマイズされる |
| ハイライト: | GSGGの単結晶,ガドリニウムのSubsitutedガリウム ガーネット,10x10x0.5mmの単結晶 |
||
7.09 G/Cm3 EPIは10x10x0.5mm GSGGの単結晶を磨いた
SGGGの単結晶の、代わりにされたガドリニウム ガリウム ガーネットはCzochralski方法によって育つ。
GGG/SGGG/NGGのガーネットは液体epitaxy.SGGGのsubatratesのためにである磁気光学フィルムのための専用されていた基質使用される。光通信装置では、1.3uを使用して多くの要求すればそれは、1.5u光学アイソレーター中心の部品であるYIGまたは大きいフィルム磁界に置かれてである。
SGGGの基質はビスマス代わりにされた鉄ガーネット エピタキシアル フィルムを育てるために優秀、であるYIG、BiYIG、GdBIGのためのよい材料である。
それはよく物理的なおよび機械特性および化学安定性である。
適用:
YIGの大きいエピタクシーのフィルム;
マイクロウェーブ装置;
代理GGG
特性:
| 構成 | （Gd2.6Ca0.4） （Ga4.1Mg0.25Zr0.65） O12 |
| 結晶構造 | 立方:=12.480 Å、 |
| 分子wDielectric constanteight | 968,096 |
| 溶解ポイント | ~1730 oc |
| 密度 | | 7.09 g/cm3 |
| 硬度 | | 7.5 （mohns） |
| R.i. | 1.95 |
| 比誘電率 | 30 |
| 誘電性損失のタンジェント（10のGHz） | ca. 3.0 * 10_4 |
| 結晶成長方法 | Czochralski |
| 結晶成長の方向 | <111> |
下記のもので水晶CRYSTROの供給GGG:
| オリエンテーション | <111> <100> ±15アーク分の中では |
| 波先のゆがみ | <1> |
| 直径の許容 | ±0.05mm |
| 長さの許容 | ±0.2mm |
| 小さな溝 | 0.10mm@45のº |
| 平坦 | <1> |
| 平行 | < 30="" arc="" Seconds=""> |
| Perpendicularity | < 15="" arc="" min=""> |
| 表面質 | 10/5の傷/発掘 |
| 明確なApereture | >90% |
| 水晶の大きい次元 | 直径の2.8-76 mm |
