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材料: | 入れ墨の取り外しのための高い損傷Threshold1064nm DKDP Pockelsの細胞 | 絶滅の比率:: | 5000:1 |
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損傷閾値:: | >750MW/cm2 @1064nm、10ns 10Hz | スペクトル領域: | 240nm~1400nm |
典型的な開き: | 8mm~30mm | 次元: | 19*24mm、20*29mm、25.4*39mmまたは要求に応じて |
明確な開き: | 8mm、10mm、11mm、13mmまたは要求に応じて | キャパシタンス:: | <4> |
ハイライト: | DKDP Pockelsの細胞Qスイッチ,1064nm Pockelsの細胞Qスイッチ,1064nm dkdp |
入れ墨の取り外しのための高い損傷Threshold1064nm DKDP Pockelsの細胞
優秀で物理的な、光学的性質によって、DKDPシリーズPockelsの細胞は大きい口径、高い発電および狭い脈拍幅によってレーザー システムで広く利用されている。それらは下記のものを含んでいる脈拍レーザー システムで使用される最適E-O Qスイッチ間にある:OEMレーザー システム;医学/化粧品のレーザー;多目的なR & Dレーザーのプラットホーム;軍及び宇宙航空レーザー システム。
DKDPの水晶は98%の波先のゆがみの>2000:1の絶滅の比率の優秀な光学質の一軸結晶(632 nm彼Neレーザーを使用することを測定される)である。DKDPの電気光学Q切換えのコンデンサーは小さい(3-5pFについて)、従って上昇時間は短い(<0>10のnsの脈拍幅、1064 nmの波長および繰返しの頻度の光学条件の下の1GW/cm2 10のHz。
DKDP Pockelsの細胞の特徴:
DKDP Pockelsの細胞の指定:
絶滅の比率 | >5000:1 |
波頭のゆがみ | <> |
キャパシタンス | 別のモデルに従って |
単一パスの光学伝達 | >98% |
損傷閾値 | >750MW/cm2 @1064nm、10ns 10Hz |
スペクトル領域 | 240nm~1400nm |
典型的な開きの直径 |
8mm~30mm |
典型的な性能@1064nm
タイプ | CR19 | CR20 | CR251 | CR252 | CR253 | CR254 |
次元 | dia19*24mm | dia20*29mm | dia25.4*32mm | dia25.4*39mm | dia28*33mm | dia25.3*42.5mm |
明確な開き | dia8mm | dia8mm | dia10mm | dia10mm | dia11mm | dia13mm |
単一パスの光学伝達 | >98% | >98% | >98% | >98% | >98% | >98% |
波頭のゆがみ | <> | <> | <> | <> | <> | <> |
絶滅 Ratio@1064nm |
>5000:1 | >5000:1 | >5000:1 | >5000:1 | >5000:1 | >5000:1 |
λ/4電圧 | 3200V+/-200V | 3200V+/-200V | 3200V+/-200V | 3200V+/-200V | 3200V+/-200V | 3200V+/-200V |
キャパシタンス | <4> | <4> | <5pf> | <5pf> | <6> | <8pf> |
DamageThreshold | 750MW/cmの² @1064nm.10ns、10Hz |
コンタクトパーソン: Ms. Wu
電話番号: 86-18405657612
ファックス: 86-0551-63840588