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Pockels セル Q スイッチ
Created with Pixso. 1064nm シングルクリスタル BBO NLO ポケルズセルQ 切換器

1064nm シングルクリスタル BBO NLO ポケルズセルQ 切換器

ブランド名: Crystro
モデル番号: CR210224-
MOQ: 1pc
価格: USD 50-500/pc
配達時間: 1〜5週間
支払条件: T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム,PayPal
詳細情報
起源の場所:
中国
証明:
SGS/ROHS
材料:
Q スイッチ レーザー用の光学BBO結晶NLO結晶を使用
結晶クワティ:
シングルクリスタル BBO
コーティング::
AR/AR @ 1064nm
絶滅 レイト:
>1000:1
容量:
3pF
クォーター・ウェーブ電圧:
2900 - 3200V
トランスミッション:
>98.5%
ウィンドウ:
保護されたウィンドウがない
パッケージの詳細:
顧客 の 要求 と し て
供給の能力:
月1000個
ハイライト:

NLO ポケルズ セル Q スイッチ

,

BBO ポケルス セル Q スイッチ

,

1064nm シングルクリスタル BBO

製品説明

Q スイッチ レーザー用の光学BBO結晶NLO結晶を使用

 

ベータバリウムボレート (BBO) 結晶は,非線形光学結晶独特の特徴の組み合わせ: 広い透明性領域,広い相マッチング範囲,大きな非線形係数,高いダメージスロージングル広い熱容量帯域幅と高い光学均質性高いパワーBBO ポケルズ細胞Crystroは,通常,高電力 q 切り替えの領域で使用されますパルスレーザー.

 

EOQシリーズのE-O Qスイッチは横場装置である.BBOの低電光系数は高電圧を生成する.電極間隔と結晶の長さの比率に比例するこの結果,より小さな開口デバイスは,より低い四分の一波電圧を有する.しかし,3mm開口デバイスでも,四分の一波電圧は3.4KV@1064nmに達する.必要な電圧を削減し,高速スイッチングタイムで半波モードで動作することを可能にするため,ダブルクリスタル設計が採用されています.

 

 

利点:

Crystro は様々な種類のポッケルズ細胞を供給します

これはEOQスイッチ特徴が違って 品質も良さそうです

このポッケルズ電池は 様々な分野の顧客のニーズを満たすために 異なる機能を備えています

我々は豊富なストックと優遇価格を持っています.

高性能BBO EO Qスイッチの品質は保証されています

私たちは中国産の BBO ポケルス電池です

 

応用:

· 高重複率 DPSS Qスイッチ
· 高重複率 リジェネレーティブアンプ制御
· 穴を埋め込む
波束切断機

 

 
タイプ CR351 CR401 CR352 CR402 CR353 CR403
典型的な寸法 直径25.4*35mm 直径25.4*40mm 直径25.4*35mm 直径25.4*40mm 直径25.4*35mm 直径25.4*40mm
ポッケルズ細胞
サイズ 3×3×20mm 3×3×25mm 4×4×20mm 4×4×25mm 5×5×20mm 5×5×25mm
クリステル
透明な開口 直径2.6mm 縦径3.6mm 直径4.6mm
単通路光学トランスミッション >98% >98% >98% >98% >98% >98%
絶滅 >1000:1 >1000:1 >1000:1 >1000:1 >1000:1 >1000:1
Ratio@1064nm (30dB) (30dB) (30dB) (30dB) (30dB) (30dB)
λ/4 電圧 3500V 2800V 4900V 3900V 5900V 4700V
容量 <3.0pF <3.0pF <3.0F <3.0pF <3.0pF <3.0pF
損害の限界値 750MW/cm2@1064nm.10ns,10Hz

 

1064nm シングルクリスタル BBO NLO ポケルズセルQ 切換器 0

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Created with Pixso. 1064nm シングルクリスタル BBO NLO ポケルズセルQ 切換器

1064nm シングルクリスタル BBO NLO ポケルズセルQ 切換器

ブランド名: Crystro
モデル番号: CR210224-
MOQ: 1pc
価格: USD 50-500/pc
パッケージの詳細: 顧客 の 要求 と し て
支払条件: T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム,PayPal
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起源の場所:
中国
ブランド名:
Crystro
証明:
SGS/ROHS
モデル番号:
CR210224-
材料:
Q スイッチ レーザー用の光学BBO結晶NLO結晶を使用
結晶クワティ:
シングルクリスタル BBO
コーティング::
AR/AR @ 1064nm
絶滅 レイト:
>1000:1
容量:
3pF
クォーター・ウェーブ電圧:
2900 - 3200V
トランスミッション:
>98.5%
ウィンドウ:
保護されたウィンドウがない
最小注文数量:
1pc
価格:
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パッケージの詳細:
顧客 の 要求 と し て
受渡し時間:
1〜5週間
支払条件:
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月1000個
ハイライト:

NLO ポケルズ セル Q スイッチ

,

BBO ポケルス セル Q スイッチ

,

1064nm シングルクリスタル BBO

製品説明

Q スイッチ レーザー用の光学BBO結晶NLO結晶を使用

 

ベータバリウムボレート (BBO) 結晶は,非線形光学結晶独特の特徴の組み合わせ: 広い透明性領域,広い相マッチング範囲,大きな非線形係数,高いダメージスロージングル広い熱容量帯域幅と高い光学均質性高いパワーBBO ポケルズ細胞Crystroは,通常,高電力 q 切り替えの領域で使用されますパルスレーザー.

 

EOQシリーズのE-O Qスイッチは横場装置である.BBOの低電光系数は高電圧を生成する.電極間隔と結晶の長さの比率に比例するこの結果,より小さな開口デバイスは,より低い四分の一波電圧を有する.しかし,3mm開口デバイスでも,四分の一波電圧は3.4KV@1064nmに達する.必要な電圧を削減し,高速スイッチングタイムで半波モードで動作することを可能にするため,ダブルクリスタル設計が採用されています.

 

 

利点:

Crystro は様々な種類のポッケルズ細胞を供給します

これはEOQスイッチ特徴が違って 品質も良さそうです

このポッケルズ電池は 様々な分野の顧客のニーズを満たすために 異なる機能を備えています

我々は豊富なストックと優遇価格を持っています.

高性能BBO EO Qスイッチの品質は保証されています

私たちは中国産の BBO ポケルス電池です

 

応用:

· 高重複率 DPSS Qスイッチ
· 高重複率 リジェネレーティブアンプ制御
· 穴を埋め込む
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タイプ CR351 CR401 CR352 CR402 CR353 CR403
典型的な寸法 直径25.4*35mm 直径25.4*40mm 直径25.4*35mm 直径25.4*40mm 直径25.4*35mm 直径25.4*40mm
ポッケルズ細胞
サイズ 3×3×20mm 3×3×25mm 4×4×20mm 4×4×25mm 5×5×20mm 5×5×25mm
クリステル
透明な開口 直径2.6mm 縦径3.6mm 直径4.6mm
単通路光学トランスミッション >98% >98% >98% >98% >98% >98%
絶滅 >1000:1 >1000:1 >1000:1 >1000:1 >1000:1 >1000:1
Ratio@1064nm (30dB) (30dB) (30dB) (30dB) (30dB) (30dB)
λ/4 電圧 3500V 2800V 4900V 3900V 5900V 4700V
容量 <3.0pF <3.0pF <3.0F <3.0pF <3.0pF <3.0pF
損害の限界値 750MW/cm2@1064nm.10ns,10Hz

 

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