ブランド名: | Crystro |
モデル番号: | CR210520-01 |
MOQ: | 1pc |
価格: | 交渉可能 |
配達時間: | 2〜4週間 |
支払条件: | T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム,PayPal |
3X3X20mm AR 1064nm ピエゾ電気材料 La3Ga5SiO14 シングルクリスタル (LGS)
ランガシート結晶 (La3Ga5SiO14,LGS),空間グループP321,ポイントグループ32表面音響波 (SAW) と大量音響波 (BAW) 装置の製造のための新しい有望なピエゾ電気材料であると報告されていますランガサイト結晶から作られた装置は,高熱安定性のため,高温で900°Cまで使用できます.
a.CrystroのLGS結晶は高熱安定性,低等価連鎖抵抗比,電気機械結合係数はクォーツの3~4倍である.
主要な特性:
ポイントグループ | 32 |
空中でのグループ | P32私は |
固有抵抗 | 4.0×1012Ω/cm-1 |
厚さ | 0.13-0.5mm |
直径 | 50mm |
長さ | 90~100mm |
溶融点 | 1470°C |
密度 | 5.67g/cm3 |
モース硬度 | 5.5 |
熱膨張係数 | aa=16×10-6/K,ac=4×10-6/K |
フォトダメージの限界値 | 670MV/cm2 |
セルパラメータ | a=b=0.8162nm,c=0.5087nm |
ダイレクトリ常数 | ε11=18です27 |
ε33=55です26 | |
電気光学係数 | γ11=2.3×10−12m/V |
γ33=1.8×10−12m/V | |
ピエゾ電圧定数 | d11 は 6 です.3 |
(10-12) C/N | d14は5です.4 |
段階速度,m/s | 2750ほら2850 |
電気機械的な結合係数,K[ %] | 0.28ほら0.46 |
溶解性 | ない |
熱膨張係数 | αこの式は, |
α33=3.65×10-6K−1 |
特徴:
高害値
良い光学回転
高低温変化に耐える
安定した物理的および化学的特性
高電気機械結合係数 (クォーツの3倍)
低等価連続抵抗
応用:
電気光学Qスイッチ
SAW装置
BAW装置
センサー
高功率 高重複率 全固体レーザー
高低温変化レーザー
ブランド名: | Crystro |
モデル番号: | CR210520-01 |
MOQ: | 1pc |
価格: | 交渉可能 |
パッケージの詳細: | 透明できれいな箱 |
支払条件: | T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム,PayPal |
3X3X20mm AR 1064nm ピエゾ電気材料 La3Ga5SiO14 シングルクリスタル (LGS)
ランガシート結晶 (La3Ga5SiO14,LGS),空間グループP321,ポイントグループ32表面音響波 (SAW) と大量音響波 (BAW) 装置の製造のための新しい有望なピエゾ電気材料であると報告されていますランガサイト結晶から作られた装置は,高熱安定性のため,高温で900°Cまで使用できます.
a.CrystroのLGS結晶は高熱安定性,低等価連鎖抵抗比,電気機械結合係数はクォーツの3~4倍である.
主要な特性:
ポイントグループ | 32 |
空中でのグループ | P32私は |
固有抵抗 | 4.0×1012Ω/cm-1 |
厚さ | 0.13-0.5mm |
直径 | 50mm |
長さ | 90~100mm |
溶融点 | 1470°C |
密度 | 5.67g/cm3 |
モース硬度 | 5.5 |
熱膨張係数 | aa=16×10-6/K,ac=4×10-6/K |
フォトダメージの限界値 | 670MV/cm2 |
セルパラメータ | a=b=0.8162nm,c=0.5087nm |
ダイレクトリ常数 | ε11=18です27 |
ε33=55です26 | |
電気光学係数 | γ11=2.3×10−12m/V |
γ33=1.8×10−12m/V | |
ピエゾ電圧定数 | d11 は 6 です.3 |
(10-12) C/N | d14は5です.4 |
段階速度,m/s | 2750ほら2850 |
電気機械的な結合係数,K[ %] | 0.28ほら0.46 |
溶解性 | ない |
熱膨張係数 | αこの式は, |
α33=3.65×10-6K−1 |
特徴:
高害値
良い光学回転
高低温変化に耐える
安定した物理的および化学的特性
高電気機械結合係数 (クォーツの3倍)
低等価連続抵抗
応用:
電気光学Qスイッチ
SAW装置
BAW装置
センサー
高功率 高重複率 全固体レーザー
高低温変化レーザー