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Pockels セル Q スイッチ
Created with Pixso. 電気光学 32um ランガサイト ポケルセル Q スイッチ

電気光学 32um ランガサイト ポケルセル Q スイッチ

ブランド名: CRYSTRO
モデル番号: CR200820-04
MOQ: 1pc
配達時間: 4〜5週間
支払条件: T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム,PayPal
詳細情報
起源の場所:
中国
証明:
SGS/ROHS
材料:
ランガサイト
波長:
32umまで
波面の歪み:
<1/4
損傷閾値:
>900MW/cm2 (@1064nm、10ns)
ハイライト:

ランガサイトポケルセルQスイッチ

,

32um ポケルセル Qスイッチ

,

LGS ベースの Q スイッチ

製品説明

LGSシリーズ電光 (EO) Qスイッチポッケルズセル

 

新しい種類のEOQスイッチ設計されたのは3わかった5SiQ14(LGS)クリスタルLGS晶は光学的に活性なNLO材料の一種で,損傷しきい値は非常に高い (LNの約9倍),優れたEO係数,高温安定性 (クォーツよりも優れている),Qスイッチは,偏光平面の総回転角が0であると考えられています.偏光波はポッケルズ電池を通って前後を伝播し,偏光平面回転と電光効果が同時に存在します.したがって,E-OモジュレーターなどのE-Oコンポーネントに広く使用されています.Qスイッチなど

 

LGS電光Qスイッチは,光を晶体のZ方向を通し,X方向に電場を適用します.結晶の横の電光効果を完全に利用し,LGS結晶のQスイッチ機能を実現できるLGSが製造した電光Qスイッチは 実は新しいタイプの回転電光Qスイッチです

 

 

基本特性:

化学式 La3Ga5SiQ14
結晶構造 トリゴナル,a=b=7.453Å,c=6.293Å
密度 5.75g/cm3
溶融点 1470 °C
透明度範囲 242〜3200nm
屈折指数 1.89
電気光学係数 γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V
耐性 1.7×1010 Ω·cm
デリケスセンスは 違う
熱膨張係数 α11=5.15×10-6 /K (Z軸) ; α33=3.65×10-6 /K (Z軸)

 

特徴:

  • LGSベースのQスイッチ (ポッケルズ電池)
  • 波長が3.2μmまでである場合.
  • 伝達波面歪み < l/4;
  • 損傷の限界:>900MW/cm2(@1064nm, 10ns, 典型的な,保証されていません);
  • 中等電力のシステムに利用可能なLGSは,部分的にDKDPそしてリンボ3シリーズQスイッチ
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Pockels セル Q スイッチ
Created with Pixso. 電気光学 32um ランガサイト ポケルセル Q スイッチ

電気光学 32um ランガサイト ポケルセル Q スイッチ

ブランド名: CRYSTRO
モデル番号: CR200820-04
MOQ: 1pc
支払条件: T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム,PayPal
詳細情報
起源の場所:
中国
ブランド名:
CRYSTRO
証明:
SGS/ROHS
モデル番号:
CR200820-04
材料:
ランガサイト
波長:
32umまで
波面の歪み:
<1/4
損傷閾値:
>900MW/cm2 (@1064nm、10ns)
最小注文数量:
1pc
受渡し時間:
4〜5週間
支払条件:
T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム,PayPal
ハイライト:

ランガサイトポケルセルQスイッチ

,

32um ポケルセル Qスイッチ

,

LGS ベースの Q スイッチ

製品説明

LGSシリーズ電光 (EO) Qスイッチポッケルズセル

 

新しい種類のEOQスイッチ設計されたのは3わかった5SiQ14(LGS)クリスタルLGS晶は光学的に活性なNLO材料の一種で,損傷しきい値は非常に高い (LNの約9倍),優れたEO係数,高温安定性 (クォーツよりも優れている),Qスイッチは,偏光平面の総回転角が0であると考えられています.偏光波はポッケルズ電池を通って前後を伝播し,偏光平面回転と電光効果が同時に存在します.したがって,E-OモジュレーターなどのE-Oコンポーネントに広く使用されています.Qスイッチなど

 

LGS電光Qスイッチは,光を晶体のZ方向を通し,X方向に電場を適用します.結晶の横の電光効果を完全に利用し,LGS結晶のQスイッチ機能を実現できるLGSが製造した電光Qスイッチは 実は新しいタイプの回転電光Qスイッチです

 

 

基本特性:

化学式 La3Ga5SiQ14
結晶構造 トリゴナル,a=b=7.453Å,c=6.293Å
密度 5.75g/cm3
溶融点 1470 °C
透明度範囲 242〜3200nm
屈折指数 1.89
電気光学係数 γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V
耐性 1.7×1010 Ω·cm
デリケスセンスは 違う
熱膨張係数 α11=5.15×10-6 /K (Z軸) ; α33=3.65×10-6 /K (Z軸)

 

特徴:

  • LGSベースのQスイッチ (ポッケルズ電池)
  • 波長が3.2μmまでである場合.
  • 伝達波面歪み < l/4;
  • 損傷の限界:>900MW/cm2(@1064nm, 10ns, 典型的な,保証されていません);
  • 中等電力のシステムに利用可能なLGSは,部分的にDKDPそしてリンボ3シリーズQスイッチ