ブランド名: | Crystro |
モデル番号: | CR20200309-2 |
MOQ: | 1pc |
価格: | 交渉可能 |
配達時間: | 3〜4週間 |
支払条件: | T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム,PayPal |
Co2+:MgAl2O4 (Co2+:Spinel) クリスタル Co スピネル 消極Qスイッチ
Co2+:MgAl2O4 (Co2+:SpinelまたはCo:MALO) 結晶は,1,2から1.6μmを放出するレーザーにおける被動Q-スイッチ用の新しい材料であり,特に眼に安全な1.54μmのEr:ガラスレーザーには,.44 μmと1.34 μmの波長で
高吸収度断面 (3.5 × 10-19cm2) は,フラッシュランプとダイオードレーザーポンプの両方で内腔焦点付けなしでEr:ガラスレーザーのQスイッチを可能にします.
軽微な興奮状態の吸収は,Qスイッチの高コントラストをもたらし,すなわち初期 (小信号) と飽和吸収の比率は10以上である.
高品質のコ:スピネル結晶素材を 提供しています 高品質の光学と均質なCO2+の分布 レーザーグレードの磨きやコーティングで
仕様 | |
材料 | Co2歳以上:MgAl2O4 |
オリエンテーション | <111>+/-0.5° |
CO2+のドーピング率は | 0.05-0.3 atm% |
オプティカル密度 | 0.1-0. わかった9 |
吸収係数 | 1.0cm-1-7cm-1 |
伝播性 | 30%~99% |
吸収部分 | 3.5×10-19cm2 |
厚さ/直径の許容量 | +/-0.1mm |
パラレリズム | 10インチ |
垂直 | 5′ |
表面の質 | 恋愛 に つい て |
波面歪み | ランダ/8 @ 632nm |
平らさ | ランダ/8 @ 632nm |
アパルチャー | >90% |
シャムファー | 0.1 x 45° |
HRコーティング | <=0.2% ((@ 1533nm) |
損害の限界値 | >500MW/cm2 |
私達について
Crystroには完璧な自動生産設備があり,現在の製品は主にYAG,TGG,TSAG,GGG,LGS,Ce:GAGG,Ce:YAGおよびCe:LuYAG生産に集中しています.先進的な製造技術の応用持続可能な開発を保証するエネルギー消費を削減する研究開発の分野.
ブランド名: | Crystro |
モデル番号: | CR20200309-2 |
MOQ: | 1pc |
価格: | 交渉可能 |
パッケージの詳細: | カートンパッケージ |
支払条件: | T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム,PayPal |
Co2+:MgAl2O4 (Co2+:Spinel) クリスタル Co スピネル 消極Qスイッチ
Co2+:MgAl2O4 (Co2+:SpinelまたはCo:MALO) 結晶は,1,2から1.6μmを放出するレーザーにおける被動Q-スイッチ用の新しい材料であり,特に眼に安全な1.54μmのEr:ガラスレーザーには,.44 μmと1.34 μmの波長で
高吸収度断面 (3.5 × 10-19cm2) は,フラッシュランプとダイオードレーザーポンプの両方で内腔焦点付けなしでEr:ガラスレーザーのQスイッチを可能にします.
軽微な興奮状態の吸収は,Qスイッチの高コントラストをもたらし,すなわち初期 (小信号) と飽和吸収の比率は10以上である.
高品質のコ:スピネル結晶素材を 提供しています 高品質の光学と均質なCO2+の分布 レーザーグレードの磨きやコーティングで
仕様 | |
材料 | Co2歳以上:MgAl2O4 |
オリエンテーション | <111>+/-0.5° |
CO2+のドーピング率は | 0.05-0.3 atm% |
オプティカル密度 | 0.1-0. わかった9 |
吸収係数 | 1.0cm-1-7cm-1 |
伝播性 | 30%~99% |
吸収部分 | 3.5×10-19cm2 |
厚さ/直径の許容量 | +/-0.1mm |
パラレリズム | 10インチ |
垂直 | 5′ |
表面の質 | 恋愛 に つい て |
波面歪み | ランダ/8 @ 632nm |
平らさ | ランダ/8 @ 632nm |
アパルチャー | >90% |
シャムファー | 0.1 x 45° |
HRコーティング | <=0.2% ((@ 1533nm) |
損害の限界値 | >500MW/cm2 |
私達について
Crystroには完璧な自動生産設備があり,現在の製品は主にYAG,TGG,TSAG,GGG,LGS,Ce:GAGG,Ce:YAGおよびCe:LuYAG生産に集中しています.先進的な製造技術の応用持続可能な開発を保証するエネルギー消費を削減する研究開発の分野.