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ポーランド語: | 磨かれる二重側面 | 直径: | 要求したように |
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厚さ: | 要求したように | 表面の終わり: | < 10A=""> |
タイプ: | 円形、正方形、平たい箱 | オリエンテーション: | <100>、<111> |
キーワード: | 単結晶の基質 | 表面質: | 10/5 |
ハイライト: | MgAl2O4単結晶のサファイアの基質、10" MgAl2O4のMgAl2O4飽和できる吸収物,10" MgAl2O4,MgAl2O4 Saturable absorber |
二重側面はCo2+を磨いた:MgAl2O4単結晶の基質
1. Co2+:MgAl2O4is 1.2から目安全な1.54μmのための1.6μmをから、特に、出すレーザーの受動のQ切換えのための比較的新しい材料えー:ガラス レーザーはまた1.44μmおよび1.34μmレーザーの波長で、しかし働く。
2.高い吸収横断面の(3.5×10-19 cm2)割り当てのQ切換えのえー:フラッシュ ランプおよびダイオード レーザー ポンプとの両方を集中するintracavityのないガラス レーザー。
3. Qスイッチのハイ コントラストの比率の僅かな興奮州の吸収の結果、飽和させた吸収へのすなわち頭文字(小さい信号)の比率は10.より高い。
Co2+:MgAl2O4単結晶の基質の主要な特性:
指定 | |
材料 | 二酸化炭素+:MgAl2O4 |
Orentation | <111>+/-0.5° |
Co2+の率の添加 | 0.05-0.3 atm% |
光学濃度 | 0.1-0.9 |
吸収係数 | 1.0cm-1-7cm-1 |
伝送 | 30%-99% |
吸収セクション | 3.5 x 10-19cm2 |
厚さ/直径の許容 | +/-0.1mm |
平行 | 10 ″ |
垂直 | 5 ′ |
表面質 | 10/5 |
波頭のゆがみ | Lambda/8 @ 632nm |
平坦 | Lambda/8 @ 632nm |
開き | >90% |
小さな溝 | 0.1 x 45° |
HRのコーティング | <> |
損傷閾値 | >500MW/cm2 |
Co2+:MgAl2O4単結晶の基質の報告書の紹介:
米国について
CrystroにYAG、TGG、TSAG、GGG、LGSのセリウムに完全な自動生産設備が、現在のプロダクト主に集中されるある:GAGGのセリウム:YAGのandCe:LuYAGの生産。研究開発の持続可能な発展分野を保障するためにエネルギー消費を減らす製造業の高度の加工技術の適用。
コンタクトパーソン: Ms. Wu
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