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| 材料: | SGGG | 平坦: | <1> |
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| 名前: | Subsitutedのガドリニウム ガリウム ガーネットSGGG | 結晶成長方法: | Czochralski |
| オリエンテーション: | （100）、（111） +/-0.5° | タイプ: | 立方/円形 |
| 直径の許容: | ±0.05mm | 長さの許容: | ±0.2mm |
| ハイライト: | SGGGの単結晶,SGGGの基質,立方SGGGの単結晶 |
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SGGGの基質、大きいYIGのためのSubsitutedのガドリニウム ガリウム ガーネット基質
SGGGの単結晶はCzochralski方法によって、代わりにされたガドリニウム ガリウム ガーネット育ちます。SGGGの基質はビスマス代わりにされた鉄ガーネット エピタキシアル フィルムを育てるためにために優秀、ですYIG、BiYIG、GdBIGのためのよい材料です。
| 構成 | （Gd2.6Ca0.4） （Ga4.1Mg0.25Zr0.65） O12 |
| 結晶構造 | 立方:=12.480 Å、 |
| 分子wDielectric constanteight | 968,096 |
| 溶解ポイント | ~1730 oc |
| 密度 | | 7.09 g/cm3 |
| 硬度 | | 7.5 （mohns） |
| R.i. | 1.95 |
| 比誘電率 | 30 |
| 誘電性損失のタンジェント（10のGHz） | ca. 3.0 * 10_4 |
| 結晶成長方法 | Czochralski |
| 結晶成長の方向 | <111> |
CRYSTROの供給GGGの水晶下記のものの:
| オリエンテーション | <111> <100> ±15アーク分の中では |
| 波先のゆがみ | <1> |
| 直径の許容 | ±0.05mm |
| 長さの許容 | ±0.2mm |
| 小さな溝 | 0.10mm@45のº |
| 平坦 | <1> |
| 平行 | < 30="" arc="" Seconds=""> |
| Perpendicularity | < 15="" arc="" min=""> |
| 表面質 | 10/5の傷/発掘 |
| 明確なApereture | >90% |
| 水晶の大きい次元 | 直径の2.8-76 mm |
