メッセージを送る
プロダクト
私達について
工場旅行
品質管理
私達に連絡しなさい
見積依頼
ニュース
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
ホーム 製品単結晶の基質

円形LaAlO3ウエファーの光学基質磨かれる高圧実験段階の倍の側面

中国 ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. 認証
中国 ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. 認証
よい速い配達および質の一見はやがてテストします。ありがとう!

—— Jhon Klus

私達の安定した製造者、非常に専門のチーム。

—— Clain

Crystroは私達の長期製造者です、私達はよい容量の製造者が付いているcoopertateに幸せであり、良質は、質私達のために非常に重要です。

—— Jarmila

オンラインです

円形LaAlO3ウエファーの光学基質磨かれる高圧実験段階の倍の側面

Round LaAlO3 Wafer Optical Substrate High Pressure Experimental Phase Double Side Polished
Round LaAlO3 Wafer Optical Substrate High Pressure Experimental Phase Double Side Polished
video play

大画像 :  円形LaAlO3ウエファーの光学基質磨かれる高圧実験段階の倍の側面

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: Crystro
証明: SGS
モデル番号: CR20200108-8
お支払配送条件:
最小注文数量: 1 羽
価格: Negotiable
パッケージの詳細: 箱パッケージ
受渡し時間: 3-4 週間
支払条件: T/T、ウェスタン ・ ユニオン、マネーグラム、ペイパル
供給の能力: 1000pcs/month
詳細製品概要
オリエンテーション: <100> タイプ: 円形、正方形
直径: 2"インチ、3"インチ、4"インチ 厚さ: 0.5mm、1mm
ポーランド語: 磨かれる二重側面 表面の終わり: < 10A="">
材料: Laalo3 形: ウエファー
ハイライト:

単結晶の要素

,

laalo3基質

,

LaAlO3ウエファーの光学基質

円形 <100> LaAlO3ウエファーの光学基質の高圧実験段階

 

LaAlO3は高温超伝導の単結晶の基質である。それは高温超伝導の薄膜および巨大な磁気薄膜のエピタキシアル成長のためのよい基質材料である。その誘電性の特性は低損失のマイクロウェーブおよび誘電性共鳴適用のために適している。

LaAlO3の単結晶はペロプスカイトの構造を多くの材料によい格子マッチに与える。それは高いTcの超伝導体の、磁気およびferro-electric薄膜のエピタキシアル成長のための優秀な基質である。LaAlO3水晶の誘電性の特性は低損失のマイクロウェーブおよび誘電性共鳴適用のためによく適している。

 

適用:

 

電子デバイス、触媒作用、高温燃料電池、製陶術、汚水処理、基質材料

 

主な利点:

 

小さい比誘電率;低い誘電性損失;よい格子一致;小さい熱拡張係数;よい化学安定性;広いエネルギー ギャップ;大きい比表面積区域;ある特定の活動;よい熱安定性

 

主要な特性:

 

  典型的な物理的性質
結晶構造 立方a=3.79オングストローム
成長方法 Czochralski
密度 6.52 g/cm3
溶解ポイント 2080年のoc
熱拡張 10 (x10-6/oc
比誘電率 | 25
10のGHzの損失のタンジェント ~3x10-4 @ 300K、~0.6 x10-4 @77K
色および出現 ブラウンに対して透明焼きなましの条件に基づいていた。磨かれた基質の目に見える双生児
化学安定性 150 oc H3PO3 at>の25 ocおよびsolubleでミネラル酸で不溶解性

連絡先の詳細
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

コンタクトパーソン: jane_wu

電話番号: +8613335516062

私達に直接お問い合わせを送信 (0 / 3000)